Flash EEPROM

バッチ処理は電源を切った後も保存されている方が望ましい。また、ADuC814のユーザメモリは256byteしかなく、書き換えが頻繁に起こらないなどの理由から、Flashデータ・メモリ（Flash EEPROM）に書き込むこととする。このFlashメモリは640byteあり、書込みおよび消去の単位となる1ページが4byteとなっている。Flashメモリへの処理は以下のSFRを介して行う。

• ECON

  メモリへの処理内容を指定するSFR。決められた定数を代入する事で動作が決定する。処理内容にはREAD（読み込み）、PROGRAM（書き込み）、VERIFY（指定したデータがあるか検証する）、ERASE（消去）ERASE-ALL（全消去）がある。

• EADRL

  読み込み/書き込み等を行うメモリのページアドレスを指定するSFR。

• EDATA1, EDATA2, EDATA3, EDATA4

  読み込み/書き込みされる実際のデータがバイト単位で格納される。EDATA1の方が上位である。

これを図に示すと図7.3のようになる。

プログラム上では、次のような共用体の大域変数_a用意することでFlashメモリへの処理を簡単に扱えるようにしている。

typedef union EData
{
    ulong  i;           // 4byte正整数1つとして見る
    ushort w[2];        // 2byte正整数2つとして見る
    byte   c[4];        // 1byte正整数4つとして見る
} EData;

つまり、書き込み時は_aに書き込みたい値を代入した後に、引数に書き込み先のアドレスを指定して書き込み用関数writeFlash()を実行し、読み込み時は引数に読み取りたいアドレスを指定して読み取り用関数readFlash()を呼び出した後、_aの中身を参照する。writeFlash()内部では_aの中身をEDATA1〜4にコピーして書き込み、readFlash()内部ではデータの読み取り後EDATA1〜4を_a[0]〜_a[3]にコピーしているのである。

図 7.3: フラッシュメモリとそれに関連するSFR